研发费用率偏低等是否与技术先进性匹配？东微(4)-通信电源技术

一、本刊要求作者有严谨的学风和朴实的文风，提倡互相尊重和自由讨论。凡采用他人学说，必须加注说明。二、不要超过10000字为宜，精粹的短篇，尤为欢迎。三、请作者将稿件（用WORD格式）发送到下面给出的征文信箱中。四、凡来稿请作者自留底稿，恕不退稿。五、为规范排版，请作者在上传修改稿时严格按以下要求： 1．论文要求有题名、摘要、关键词、作者姓名、作者工作单位（名称，省市邮编）等内容一份。 2．基金项目和作者简介按下列格式：基金项目：项目名称（编号）作者简介：姓名（出生年－），性别，民族（汉族可省略），籍贯，职称，学位，研究方向。 3．文章一般有引言部分和正文部分，正文部分用阿拉伯数字分级编号法，一般用两级。插图下方应注明图序和图名。表格应采用三线表，表格上方应注明表序和表名。 4．参考文献列出的一般应限于作者直接阅读过的、最主要的、发表在正式出版物上的文献。其他相关注释可用脚注在当页标注。参考文献的著录应执行国家标准GB7714-87的规定，采用顺序编码制。

研发费用率偏低等是否与技术先进性匹配？东微(4)

作者:

关键词:

摘要：

从技术角度而言，相较于集成电路逻辑芯片，功率器件并非特别依赖和追求先进制程，产品竞争力主要由器件结构设计方面的技术创新能力决定。当一个创新的器件结构被成功开发后，可以被应用至相关的功率芯片平台中，并通过改变芯片中并联器件的数量来得到不同规格的芯片。因此，相较于逻辑芯片，功率器件产品在研发阶段投片试产的成本相对较低，对应的研发费用较低。

此外，发行人研发人员规模较小，报告期各期发行人的研发人员数量分别为10人、18人、24人以及31人。因此，发行人计入研发费用的员工薪酬与发行人的研发人员规模也相匹配。发行人的核心技术集中于功率器件领域，尤其是高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET以及IGBT等产品。在发展过程中，发行人集中优势研发资源，研发出了多种具有技术先进性以及市场竞争力的功率器件结构，并以工业级应用领域为主要市场拓展方向。随着发行人业务规模的迅速扩大，发行人拟拓展其在功率器件领域的研发广度，包括新一代IGBT分立器件、高密度IGBT模块以及第三代半导体材料功率器件等产品。预计未来发行人的研发费用将随着发行人业务规模的扩大、产品线的丰富以及研发项目的多样化而不断提升。

综上所述，发行人的研发费用投入与发行人的技术先进性相匹配。

文章来源：《通信电源技术》网址: http://www.txdyjs.cn/zonghexinwen/2022/0110/807.html